美光面临DRAM供应压力，增产仅能满足一半需求，放弃英睿达仍显不足

尽管美光公司正在增产DRAM，但仍不能满足全部需求，英睿达的放弃也未能完全解决问题，市场需求的持续增长使得供应压力持续存在，美光公司认为增产也只能满足一半的需求，这一情况对内存市场产生了一定的影响和挑战。

12月18日最新消息，在正式宣布终止英睿达（crucial）品牌面向消费市场的业务运营后，全球存储巨头美光科技公布了其2026财年第一季度的财务业绩。

值得注意的是，本季度DRAM与NAND闪存两大核心业务的营收均创下历史新高；但美光首席执行官Sanjay Mehrotra再度明确指出，DRAM供应紧张的局面将持续至2026年之后，短期内难见缓解。

财报数据显示，该季度公司总营收达136.4亿美元，较去年同期飙升57%。这一显著增长主要源于AI驱动的数据中心对高带宽、低延迟内存产品的强劲需求，叠加存储芯片市场价格持续上扬。

高带宽内存（HBM）同样成为关键增长引擎。美光预测其HBM相关收入将实现“显著跃升”，并展望到2028年，HBM单一细分市场的规模有望突破1000亿美元，甚至超过2024年全球DRAM整体销售额。

为全力应对当前前所未有的供需矛盾，美光正加速推进产能扩张计划：位于爱达荷州的两座全新晶圆制造厂预计于2027年年中投入量产；而纽约州的新建工厂则计划在2026年初启动建设，不过实际形成有效产出需等到2030年。

即便如此大规模的投资全部如期完成，美光仍坦言“深感遗憾”——公司预估，即便完成本轮扩产，未来数年内所能提供的产能，也仅能覆盖其重点客户“约50%至67%”的采购需求。

Mehrotra进一步透露，由于客户普遍对中长期内存供应稳定性存有顾虑，目前正积极寻求锁定货源，大量签署为期多年的战略性长期供货协议，以保障后续产品交付节奏。