SK海力士推进领先三星的1c DRAM六层EUV工艺创新

据最新消息，SK海力士正在积极推进1c DRAM的六层EUV工艺研发，旨在领先三星等竞争对手，该工艺将有助于提高存储设备的性能和集成度，进一步推动半导体产业的发展，此举引起了业界的高度关注和期待，有望引领新一轮的技术革新和市场竞争。

8 月 12 日消息，科技媒体 wccftech 昨日（8 月 11 日）发布博文，指出 sk 海力士（sk hynix）为提升 ddr5 与高带宽存储（hbm）产品的性能，并在先进存储技术领域保持领先，正计划在 1c dram 的量产中引入六层极紫外光（euv）工艺。

报道称，这一技术方案不仅打破了现有行业规范，还将显著增强 DDR5 与 HBM 存储器的性能表现。根据博文内容，EUV 技术使用波长为 13.5 纳米的光源，能够实现更精密的电路图案刻画，有效减少传统多重曝光（multi-patterning）的需求。

以往 DRAM 制造多结合 EUV 与深紫外光（DUV）技术，而 SK 海力士此次在 1c DRAM 上全面采用六层 EUV 工艺，有助于简化制造流程，同时提升芯片良率与整体盈利能力。

分析认为，在当前存储技术竞争加剧的背景下，SK 海力士的这一举措不仅强化了其在行业内的技术领先地位，也为其在与三星等主要对手的竞争中赢得了新的战略优势。

尽管 1c DRAM 尚未大规模进入消费级市场，但 SK 海力士正在积极研究其在高容量 DDR5 及下一代 HBM 产品中的应用潜力。据悉，公司将继续扩大 EUV 工艺的投资，未来将在 1d、0a 等更先进制程节点全面导入 EUV 技术，并逐步向高数值孔径（High-NA）EUV 技术演进。

借助 EUV 工艺的进步，SK 海力士有望制造出密度更高、速度更快、功耗更低的 DDR5 与大容量 HBM 芯片，大幅提升生产效率和产品良率。特别是在 HBM4 等前沿产品中，1c DRAM 的集成预计将实现性能与存储容量的双重飞跃，为人工智能、高性能计算等高需求领域提供更强大的硬件支持。