三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM内存，多技术路线探索策略

三星电子正积极准备开发传统结构 1e nm DRAM内存，并鼓励多技术路线的探索，这一举措旨在推动半导体技术的进步，提高内存设备的性能和容量，该消息表明，三星电子将继续引领行业创新，不断突破技术瓶颈，以满足市场对于高性能电子产品的需求，此举有望为用户带来更快的数据处理速度和更高的存储能力体验。

三星电子计划开发传统架构1e nm dram，实现内存技术多元化战略。据韩媒the bell报道，三星电子将于2028年推出采用常规结构的1e nm（第八代10纳米级）制程dram。此举旨在丰富技术储备，为未来商业化提供更多选择。

三星此前的计划是在2026年推出1d nm内存，随后于2027年推出基于4F² VCT创新结构的0a nm内存。但1e nm DRAM的研发，意味着4F² VCT DRAM的量产时间可能推迟到2029年甚至更晚。

4F² VCT DRAM虽然单元更小巧，空间利用率更高，但生产成本和资本支出也大幅增加。而1e nm DRAM凭借其延续传统结构的优势，在成本方面更具竞争力。

有内部人士透露，三星已吸取此前HBM市场战略失误的教训，积极推动包括1e nm DRAM在内的“备选技术”研发，不再忽视非主流产品的技术开发。 这一战略调整将有助于三星在内存市场保持领先地位，并应对未来技术发展的不确定性。