美国官方投资EUV初创企业xLight，功率达千瓦级，超越ASML光刻机四倍技术突破

美国官方投资了一家名为xLight的初创企业，该企业专注于研发极紫外（EUV）技术，据悉，该企业成功研发出功率高达1000W的EUV设备，其功率远超当前市场上领先的ASML光刻机，达到其四倍，这一重大突破有望为半导体制造领域带来革新，进一步推动集成电路的发展，官方投资将为xLight的研发提供有力支持，未来有望带来更多创新成果。

12月2日最新消息，euv光刻技术已成为5纳米及更先进制程不可或缺的核心环节。目前全球范围内，仅有荷兰asml公司具备量产euv光刻机的能力。而美国正加速布局该领域，不仅加大政策扶持力度，更由官方直接出资支持一家新兴科技企业。

这家名为xLight的初创公司，致力于研发基于自由电子激光器（FEL）的新一代EUV光源系统。与ASML当前采用的高功率等离子体（LPP）技术路径不同，xLight选择了一条更具颠覆性的技术路线——以FEL作为EUV光刻的核心光源，其首台原型设备预计将于2028年正式亮相。

今年7月，xLight已成功完成4000万美元的融资；近日再获美国商务部下属CHIPS研究与开发办公室（CRDO）拨款1.5亿美元，进一步夯实其技术研发基础。

美国商务部长公开表示，xLight所构建的FEL平台是一项具有里程碑意义的突破性创新，将助力美国重掌半导体技术主导权、强化本土供应链韧性，并确保未来尖端芯片在美国本土实现规模化制造。

值得关注的是，xLight的首席执行官为前英特尔CEO帕特·基辛格。他此前曾多次强调FEL技术的战略价值，称“重启摩尔定律、夺回光源技术领导地位，是百年一遇的关键窗口期”。在联邦政府持续投入的支持下，xLight有望将这一历史性机遇转化为现实成果。

在性能参数方面，xLight的FEL光源展现出显著优势：输出功率可达1000W，相较ASML当前主流EUV光源约250W的水平，实现了整整四倍的跃升；其技术路线图中甚至规划了2000W级光源的长期目标。

如此强劲的光源功率，不仅能大幅提高单台EUV光刻设备的晶圆吞吐效率，还可实现“一源多机”的灵活配置模式——即一套FEL系统可同时驱动多台光刻机协同作业。此外，该光源设计寿命长达30年，有望显著降低整个芯片制造过程中光刻环节的综合运营成本。

若结合此前美国另一家EUV光源新锐企业Substrate获得大额融资的消息来看，不难发现：美国正系统性推动下一代EUV光源技术的自主可控进程。尽管当前ASML所用EUV光源最初源自美国公司Cymer，但该公司早已被ASML全资收购，核心技术主导权随之转移。

目前xLight主攻自由电子激光路径，Substrate则聚焦X射线光源方向，二者虽技术路线各异，却与国内此前热议的若干光刻机项目存在相似之处——均具备理论精度高、功率潜力大等突出优势，但在工程化落地、稳定性控制、量产可靠性等方面仍面临严峻挑战。相比之下，ASML的EUV光刻系统仍是当前唯一经过大规模验证并稳定量产的技术方案。