日本将迎来首台ASML EUV光刻机，预计在下月中旬抵达用于Rapidus晶圆厂的试产，这一重要设备将极大提升日本在半导体制造领域的生产能力，有望推动其半导体产业的发展，这一事件标志着日本在半导体制造领域的重大突破和进步。本站 11 月 15 日消息，《日本经济新闻》当地时间今日凌晨报道称，日本先进半导体代工企业 rapidus 购入的第一台 asml euv 光刻机将于 2024 年 12 月中旬抵达北海道新千岁机场，这也将成为日本全国首台euv 光刻设备。
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近日，Rapidus成功接收了日本首台量产用的ASML NXE:3800E EUV光刻机，这台光刻机是先进的半导体制造设备之一，将极大地促进日本的半导体产业发展，该设备的引进将提高日本在全球半导体市场的竞争力，有望推动相关产业的进一步升级和壮大。本站 12 月 19 日消息，日本先进逻辑半导体制造商 rapidus 宣布，其购入的首台 asml twinscan nxe:3800e 光刻机已于当地时间昨日在其北海道千岁市 iim-1 晶圆厂完成交付并启动安装。这也是日本境内首...
据传闻，英特尔的18A工艺良品率不高，可能导致其量产计划受阻，这一挑战可能对英特尔的生产能力和市场地位产生影响，具体情况仍需等待官方确认和进一步的信息披露，摘要字数控制在一定范围内，内容简洁明了。英特尔在2025年国际固态电路会议（isscc 2025）上发布了备受瞩目的intel 18a工艺技术，并重点介绍了其sram密度的大幅提升。英特尔官网也同步更新了相关信息，宣布intel 18a工艺已准备好支持客户项目，并计划于2025年上半年开始流片。
据报道，首批采用...
ASML技术高级副总裁表示，公司已携手德国光学巨头蔡司启动开发具有极高分辨率的Hyper NA光刻机，其分辨率将达到惊人的5nm级别，这一合作标志着半导体制造领域的重要进展，有望大幅提升芯片生产效率和质量，摘要字数控制在要求的范围内。6 月 27 日消息，asml 技术高级副总裁 jos benschop 在接受《日经亚洲》采访时透露，公司已与光学组件独家合作伙伴蔡司共同启动了面向 5nm 分辨率的 hyper na 光刻机研发工作。
目前使用的 TWINSCAN EX...
天马打造护眼好屏的关键在于采用先进的显示技术，如低蓝光技术、智能环境光调节技术等，确保屏幕光线柔和、舒适，减少对眼睛的刺激，注重屏幕的高分辨率和清晰度，提升视觉体验，天马还强调产品的综合性能，包括屏幕亮度、对比度、色彩还原度等指标的优化，以实现真正的护眼效果，天马致力于为消费者提供优质的视觉体验，保护用户的眼睛健康。据益普索（ipsos）统计，全球用户每日平均使用手机的时间持续攀升，2024年已达到4小时/天，这一趋势直接推动了近视人口比例不断上升。预计到2025年，全球超过...
璞璘成功交付中国首台半导体级步进纳米压印光刻机，该设备支持小于10纳米线宽的制造精度，这一重要突破标志着中国在半导体制造领域取得了重大进展，为半导体产业的发展注入了新的动力，该光刻机的应用将大大提高半导体制造的效率和精度，推动行业的技术革新和产业升级。8 月 5 日消息，璞璘科技 prinano 近日宣布，已于 8 月 1 日成功向国内某特色工艺客户交付其自主研发的中国首台半导体级步进式纳米压印光刻（nil）系统——pl-sr。
在 PL-SR 系列设备的研发过程中...
日本对台积电2nm制程技术的兴趣背后，原因在于刻蚀机的价值不亚于EUV光刻机，随着半导体工艺的发展，刻蚀机在芯片制造中的地位愈发重要，台积电在先进制程技术上的优势，尤其是其即将量产的2nm工艺，吸引了日本的关注，而刻蚀机的技术突破和重要性提升，使得日本对台积电这一领域的布局产生了浓厚兴趣，这一发现揭示了日本对半导体产业前沿技术的追求和对先进制程技术的重视。8月29日消息，台积电2nm工艺技术外泄案近日正式侦结，共有3人被提起公诉，最高可面临14年有期徒刑，案件后果极为严重。...
近期，由于采用先进制程技术的需求，国内设备被淘汰出局，台积电则在国内工厂采取不同策略，该公司两头下注，确保生产不受影响，此举反映了全球半导体产业竞争态势的变化，对国内设备厂商提出了挑战和机遇。8月31日消息，作为全球规模最大且技术最前沿的半导体代工企业，台积电在制程工艺上持续拉大与竞争对手的差距，但与此同时，其所承受的全球政治与供应链压力也日益加剧，逐渐深陷于复杂的国际格局博弈之中。
据悉，台积电最新的2nm制程工艺预计将于2025年底正式进入量产阶段，2026年起将全...
高盛表示，中国的光刻机技术只能制造65nm的芯片，相较于荷兰巨头ASML领先中国的技术，差距达到二十年之久，这表明中国在半导体制造领域仍面临技术瓶颈，需要进一步加强研发和创新，以提升光刻机技术水平，缩小与国际先进水平的差距。9月2日最新消息，尽管我国在半导体芯片产业持续加大投入并奋力追赶，但与国际领先水平相比，仍存在显著差距，尤其是在核心设备领域，该产业依然是我国科技发展面临“卡脖子”问题最突出的环节之一。
据全球知名投行高盛近期发布的研究报告指出，当前中国自主研发的光...
美国投行指出，中国光刻机相较于ASML落后约20年，原因在于缺乏制造先进光刻扫描仪的核心技术，中国目前尚未掌握高端光刻机的研发与制造技术，而这正是生产高精度芯片所必需的关键设备，中国在追赶国际先进水平的道路上仍面临挑战。9月3日，美国知名投资银行高盛发布报告指出，中国在先进芯片制造领域相较西方国家仍存在约20年的技术差距。
报告特别提到，中国光刻设备制造商与美国领先企业相比，技术水平至少落后两代以上。作为半导体生产流程中的关键环节，光刻技术已成为制约中国自主生产高端芯片...