中国首台半导体级步进纳米压印光刻机璞璘成功交付，支持小于10nm线宽技术突破

璞璘成功交付中国首台半导体级步进纳米压印光刻机，该设备支持小于10纳米线宽的制造精度，这一重要突破标志着中国在半导体制造领域取得了重大进展，为半导体产业的发展注入了新的动力，该光刻机的应用将大大提高半导体制造的效率和精度，推动行业的技术革新和产业升级。

8 月 5 日消息，璞璘科技 prinano 近日宣布，已于 8 月 1 日成功向国内某特色工艺客户交付其自主研发的中国首台半导体级步进式纳米压印光刻（nil）系统——pl-sr。

在 PL-SR 系列设备的研发过程中，璞璘科技突破了喷墨涂胶工艺中的多项关键技术难题，实现了纳米级别的压印膜厚控制，达到平均残余层厚度＜10nm、残余层波动＜2nm、压印结构深宽比＞7:1 的性能指标，支持线宽小于 10nm 的 NIL 工艺应用。

据公司介绍，PL-SR 系列喷墨步进式纳米压印设备目前已完成在存储芯片、硅基（oS）微显示器、硅光（SiPh）以及先进封装（AVP）等领域的初步芯片研发验证工作；设备支持最小 20mm×20mm 压印模板的均匀拼接，最终可扩展至 12 英寸晶圆级超大模板，具备规模化应用潜力。