英飞凌与罗姆合作，碳化硅SiC功率器件封装助力生态互通扩展

英飞凌与罗姆达成碳化硅SiC功率器件封装合作，旨在互通有无扩展生态，此次合作将共同研发和推广碳化硅功率器件的应用，提高设备性能和效率，双方将通过合作优化封装工艺，共同推动碳化硅功率器件在市场上的普及和认可，此举有助于促进功率半导体产业的发展，为未来的智能化、高效化领域提供更广阔的发展空间。

9 月 28 日消息，全球两大功率半导体巨头——德国英飞凌（infineon）与日本罗姆（rohm）于本月 25 日共同宣布，双方已签署备忘录，将建立碳化硅（sic）功率器件封装领域的合作机制。

根据协议内容，两家公司将互为对方特定 SiC 功率器件封装的第二供应商，使客户能够更灵活地在英飞凌和罗姆的对应产品之间进行切换，从而增强系统设计和供应链采购的弹性。

具体分工方面，罗姆将采用英飞凌的 2.3mm 标准高度 SiC 顶部散热封装平台；而英飞凌则将引入罗姆的半桥结构 SiC 模块“DOT-247”，并基于此开发兼容性封装方案。

左：英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer
右：罗姆董事兼常务执行官伊野和英

此外，双方还计划逐步拓展合作范围，未来这一战略合作有望覆盖更多基于硅（Si）、碳化硅（SiC）以及氮化镓（GaN）等宽禁带半导体技术的功率器件封装形式。