SK 海力士完成HBM4开发，全球首款准备量产，革新存储技术迈向新篇章

SK海力士宣布完成全球首款高性能内存芯片HBM4的开发，并准备投入量产，这款芯片有望提高计算机系统的内存性能，推动高性能计算和人工智能领域的发展，此次突破性的进展代表着内存技术的重要进步，将促进数据处理的效率和速度进一步提升。

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9 月 12 日消息，SK 海力士正式宣布已完成专为人工智能应用打造的超高性能存储器新品 HBM4 的研发，并在全球范围内率先建立起完整的量产体系。

SK 海力士表示：“我们已成功开发出将推动 AI 新时代发展的 HBM4 存储器，并基于这一技术突破，在全球首家实现了 HBM4 的量产体系建设。这再次巩固了我们在 AI 导向型存储技术领域的领先地位。”

注：高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）通过垂直堆叠多个 DRAM 芯片，实现远超传统 DRAM 的数据传输速率。截至目前，该技术已发展至第六代，分别为 HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E 和最新的 HBM4。

据 SK 海力士介绍，新款 HBM4 搭载了高达 2048 条数据传输通道，是上一代产品的两倍，不仅使带宽翻倍，还实现了超过 40% 的能效提升。凭借这些技术优势，HBM4 达到了当前全球领先的运算速度与能源效率水平。

公司预计，当客户系统导入 HBM4 后，AI 服务的整体性能最高可提升达 69%。这项技术进步不仅能有效缓解数据处理中的瓶颈问题，还将大幅减少数据中心的能耗与电力支出。

此外，HBM4 的运行速度首次突破 10Gbps，显著高于 JEDEC 标准所规定的 8Gbps 门槛。

据悉，SK 海力士在 HBM4 的研发中采用了已在市场上验证可靠性的自研先进 MR-MUF 封装技术，并结合第五代 10 纳米级（1b）DRAM 制程工艺，从而最大程度地保障了产品在大规模生产中的稳定性与良率。