本站 11 月 20 日消息，半导体行业规范制定组织 jedec 下属固态技术协会美国当地时间本月 18 日宣布推出nand 闪存接口互操作性标准 jesd230g。
JESD230G 规范在性能方面引入了 4800MT/s 接口速率的支持；而在功能方面添加了 SCA（本站注：独立命令 / 地址，Separate Command /Address）总线协议，该协议允许主机和 NAND 设备最大限度地利用最新的接口速率，从而能提供增强的吞吐量和效率。
目前接口速率最快的...
据最新消息，三星电子已成功研发出 4XX 层的 NAND 闪存技术，并将其技术成果开始向生产线转移，这一重要突破有望进一步提升闪存存储的密度和性能，推动消费电子产品的存储能力迈上一个新的台阶，该技术的研发和应用将促进整个电子行业的发展，有望为用户带来更加出色的存储体验。本站 12 月 9 日消息，韩媒 sedaily 当地时间本月 6 日援引消息人士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4xx 层第 10 代 3d v-nand 闪存的开发，并从上月开始将该技术转移至位...
据最新消息，三星电子计划于明年3月启动其第十代4xx层V-NAND生产线建设，这一重要举措标志着三星在闪存技术领域的持续创新和领先地位，通过不断提升生产技术和扩大产能，三星有望进一步提高其在全球半导体市场的竞争力，并为消费者带来更多高性能的电子产品，这一决策对于整个电子产业也将产生重要影响。7 月 2 日消息，据韩国媒体 etnews 昨日当地时间报道，三星计划于明年三月启动其新一代 3d nand 闪存——第十代 v-nand 首条量产线的建设，预计将于同年 10 月实现全...
SK海力士成功实现全球首发的突破，开始量产全新的高容量存储解决方案——基于先进的制程技术的321层QLC NAND闪存，这种新型闪存将大幅提高存储密度和性能，推动存储行业的创新步伐，这一里程碑式的进展预示着未来数据存储的巨大潜力和无限可能。8 月 25 日消息，sk 海力士宣布其全新 321 层 2tb qlc nand 闪存产品已成功完成研发，并正式进入量产阶段。此举实现了全球首次突破 300 层的 qlc nand 技术应用，刷新了nand 存储密度的行业纪录。公司预计在...
闪迪预测，在即将到来的2026年，NAND闪存市场将面临严重的供应不足，这一预测反映了全球存储市场的需求持续增长与供应能力之间的紧张关系，随着各种设备对内存的需求日益增加，NAND闪存市场供不应求的现象预计将持续影响整个行业，这一趋势可能对电子设备制造业和用户带来影响，需要提前做好准备和应对策略。9 月 18 日讯，闪迪高层于当地时间本月 10 日在高盛举办的 communacopia + technology 大会上透露，预计整个 2026 年期间，nand 闪存市场将持续...
三巨头已全面介入市场，SK海力士内存和SSD产品即将面临涨价趋势，随着市场需求不断增长，内存和SSD市场迎来新的发展机遇，各大厂商纷纷加大投入，展开激烈竞争，SK海力士作为行业巨头之一，其内存和SSD产品的质量和性能备受认可，因此市场对其产品的需求不断增加，受到供应链和原材料成本等因素的影响，SK海力士也不得不面临产品涨价的情况，未来市场走势如何，还需密切关注市场动态。
9月23日，存储芯片价格上调趋势进一步明朗，继美光与三星率先行动后，SK海力士也已加入涨价行列。尽管...
复旦团队成功研发全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，该芯片采用先进的二维材料和硅基技术相结合，实现了高性能、高可靠性和高集成度的特点，这一创新技术的突破将有望推动闪存技术的进一步发展和应用，为未来的计算机存储领域带来革命性的变革。10月9日，复旦大学再次传来重磅消息：继今年早些时候推出“破晓（pox）”皮秒级二维闪存器件后，该校周鹏-刘春森团队在二维电子器件的工程化进程中取得又一重大突破。
最新成果显示，该团队成功研发出名为“长缨（CY-01）”的全新架构，首次将二维超...
我国成功研发出全球首个二维-硅基混合架构闪存芯片，该芯片在性能上碾压传统闪存，这一创新技术的出现，有望为存储领域带来重大突破，提升数据存储的效率和速度，该芯片的诞生标志着我国在半导体领域的研发实力再次取得显著进展。10月11日，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院的周鹏-刘春森团队宣布，继今年4月发布“破晓（pox）”皮秒闪存器件后，时隔半年再次取得重大突破——成功研发出“长缨（cy-01）”闪存架构。
该架构实现了二维超快闪存器件与成熟硅基...
三星的闪存芯片技术迎来重大突破，首次进入3D晶体管时代，这一创新技术使得芯片功耗更低，尺寸更小，相较于传统技术，这一进步将极大提高芯片的性能和效率，同时有望推动整个电子行业的科技发展，这一创新标志着半导体技术的新里程碑，有望引领未来电子产品的革新。10月23日最新动态，自intel在22nm制程节点首次引入finfet晶体管以来，逻辑芯片工艺正式迈入3d时代。如今，三星也即将在闪存领域迈出革命性一步——率先将3d晶体管技术应用于nand闪存芯片。
FinFET是一种三维...
美国存储巨头闪迪宣布SSD产品涨价50%，这一决定将对市场产生重大影响，随着存储市场的竞争加剧和原材料成本上涨，SSD价格不断攀升，此次涨价不仅会影响消费者的购买决策，还将对全球存储市场格局带来深远影响，这一消息引发了行业内外的广泛关注。11月10日消息，美国存储芯片巨头闪迪（sandisk）近日宣布，将11月nand闪存芯片的合约价格上调50%。
值得注意的是，这已是闪迪今年以来至少第三次进行价格调整。此前，该公司在4月宣布全线产品涨价10%，随后于9月初再次对所有渠...