SK海力士宣布已量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，标志着存储技术的新里程碑，该公司计划在2025年上半年开始对外出货，这将为用户提供更快、更大容量的存储选项，这项技术的突破将促进移动设备和数据中心等领域的进一步发展。本站 11 月 21 日消息，sk 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1tb（太比特，与 tb 太字节不同）tlc（triple level cell）4d nand 闪存。据介绍，此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读...
三星电子、SK海力士和铠侠计划提高NAND闪存价格并实施减产措施，由于供应链紧张和生产成本上升，这些公司决定调整策略以应对市场变化，此举可能导致NAND闪存供应进一步收紧，并可能影响到依赖这些组件的电子产品制造商，摘要字数控制在100-200字以内。11 月 12 日消息，据 chosunbiz 报道，三星电子、sk 海力士、铠侠、美光等全球八大 nand 闪存制造商正联合缩减今年下半年的 nand 闪存供应。业内分析认为，这一减产举措虽不可避免地带来产出下滑，但一方面有助于...
据最新消息，三星将于明年2月正式推出高性能内存技术HBM4，与SK海力士展开竞争，HBM4的发布将进一步提升三星在内存领域的竞争力，有望引领新一轮的技术革新和市场变革，三星此次推出的HBM4技术将为行业带来更高的性能和更低的功耗，有望推动计算机系统的性能提升和能效改善，值得期待的是，这一技术的推出将促进整个行业的竞争和创新，推动技术的进步和市场的繁荣。12 月 1 日消息，据韩国媒体 the elec 在上周（11 月 27 日）报道，三星电子将在明年 2 月举办的国际固态电...