美国投行指出，中国光刻机相较于ASML落后约20年，原因在于缺乏制造先进光刻扫描仪的核心技术，中国目前尚未掌握高端光刻机的研发与制造技术，而这正是生产高精度芯片所必需的关键设备，中国在追赶国际先进水平的道路上仍面临挑战。9月3日，美国知名投资银行高盛发布报告指出，中国在先进芯片制造领域相较西方国家仍存在约20年的技术差距。
报告特别提到，中国光刻设备制造商与美国领先企业相比，技术水平至少落后两代以上。作为半导体生产流程中的关键环节，光刻技术已成为制约中国自主生产高端芯片...
俄罗斯公布了国产极紫外光刻设备的长期路线图，旨在挑战光刻设备领域的领导者ASML，此举展示了俄罗斯在半导体制造领域的雄心壮志，旨在实现自给自足并减少对外部技术的依赖，这一计划可能会引发全球半导体制造领域的竞争和变革，未来有望影响全球芯片产业的格局。9 月 28 日消息，根据 tom's hardware 的报道，俄罗斯科学院微结构物理研究所（由德米特里・库兹涅佐夫公开）发布了一项关于国产极紫外（euv）光刻设备的长期发展规划。该设备工作波长为 11.2 纳米，是对该机构在去年...
半导体巨头中，EUV光刻机数量备受关注，台积电是唯一一家超过百台的企业，展现出强大的技术实力和市场份额，日本一家专注于制造2nm技术的公司也引人注目，这些企业的成功离不开对先进技术的持续投入和创新能力的不断提升，这些光刻机的数量和技术水平将直接影响未来半导体产业的发展方向和竞争格局。
在半导体制造领域，工艺节点越先进，对光刻设备的要求也越高。尤其是5nm及以下制程的量产，几乎完全依赖EUV（极紫外）光刻机。目前全球范围内仅有ASML能够提供此类高端设备，因此台积电、三星...
国产半导体展现硬实力，深圳宣布的“中国版阿斯麦”新凯来将带来新惊喜，这一举措预示着国产半导体技术的新突破，有望在国际市场上获得更大的竞争力，新凯来的出现将促进半导体产业的发展，推动中国半导体技术的进一步崛起。
10月13日，备受瞩目的半导体行业动态持续升温。据深圳官方透露，在即将于本月举行的2025湾芯展上，被誉为“中国版阿斯麦”的新凯来（SiCarrier）将带来令人期待的新惊喜。
这一消息源自10月10日上午深圳市政府新闻办召开的新闻发布会。会上，深圳市发展改革委...
中国光刻胶领域取得重大突破，成功合成微观三维全景照片，其分辨率优于5纳米，这一技术成果将为微电子制造领域带来革命性变革，有望提高芯片制造的精度和效率，此次突破不仅展示了中国在光刻胶领域的实力，也标志着中国在微电子制造领域迈出了重要的一步。10月26日，我国在光刻胶研究领域迎来重要进展！
据《科技日报》报道，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及其合作者，创新性地采用冷冻电子断层扫描技术，首次在液相环境中实现了对光刻胶分子微观三维结构、界面分布及缠结行为的原位解析，并...
日本三大EUV光刻胶巨头志在必得，积极扩产以应对即将到来的2nm工艺需求，他们投入巨资扩大生产规模，以确保在先进制程技术中的领先地位，这一举措对于整个半导体行业具有重要意义，有望推动全球半导体产业的发展。11月3日资讯，euv工艺已成为5nm节点之后不可或缺的关键技术。目前全球仅荷兰asml能够制造euv光刻机，而在euv光刻胶领域，日本则展现出强大优势。面向2nm及更先进制程，日本三大化工巨头正加速产能扩张。
东京应化工业（Tokyo Ohka Kogyo）近日宣布，...
阿斯麦向中国市场出口的光刻机技术落后，相较于最新技术落后八代，技术差距超过十年，这一事实需要被认清，提醒人们不能忽视技术差距的存在，光刻机是半导体制造的核心设备，技术的先进与否直接影响半导体产业的发展，我们应该清醒地认识到当前的技术状况，推动自主创新和技术进步。12月15日消息，阿斯麦向中国出口的光刻机技术代际差距究竟有多大？据其首席执行官克里斯托夫·富凯公开表态，当前对华出口的设备，相较最先进的高数值孔径（high-na）光刻技术，整整落后八代。
近日，阿斯麦CEO克...